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两家存储企业拟IPO;SK海力士宣布新技术规格DRAM;

时间:2021-10-28 00:05来源:未知 作者:admin 点击:

  10月20日消息,SK海力士宣布业界首次开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。HBM3是第四代HBM技术,由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成,可进一步提高数据处理速度。HBM3将搭载高性能数据中心,有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习和分析气候变化,新药开发等的超级计算机。

  据了解,SK海力士去年7月在业界首次实现批量生产HBM2E DRAM后,时隔仅1年零3个月开发了HBM3。SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。与上一代HBM2E相比,速度提高了约78%。

  此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。为实现24GB的业界最大的容量,SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m),然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。

  据上交所披露,正式受理恒烁半导体(合肥)股份有限公司 科创板IPO申请。成立于2015年的恒烁股份,是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。

  据了解到,恒烁股份现有主营产品包括NORFlash存储芯片和基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片;同时,该公司还在致力于开发基于NOR闪存技术的存算一体终端推理AI芯片。

  恒烁半导体本次拟发行股份不超过2066万股,占本次发行后总股本的比例不低于25%。本次发行的股份全部为公开发行新股,不涉及股东公开发售股份的情形。本次募集资金用于项目及拟投入的募资金额为:NOR闪存芯片升级研发及产业化项目,募集资金投入金额约2.03亿元;通用MCU芯片升级研发及产业化项目,募集资金投入金额约1.77亿元;CiNOR存算一体AI推理芯片研发项目,募集资金投入金额约1.23亿元;发展与科技储备项目,募集资金投入金额2.50亿元。本次股票发行后拟在上交所科创板上市。

  据悉,自成立以来,恒烁的经营模式一直是Fabless模式,专注于芯片的研发、设计和销售,晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现,晶圆代工主要向武汉新芯采购,相关采购金额占比大致在6-8成之间。

  近日,美国消费者新闻与商业频道(CNBC)实地探访了台积电正在美国建设的5纳米工厂。从现场画面看,这座已经规划一年半、开工6个月的工厂,似乎仍然处于初期的施工阶段,而美国政府承诺给台积电的补贴至今尚未落实。

  目前,拜登政府已经提议为台积电等芯片公司在美国本土建厂提供520亿美元的补贴。行业报告预计,美国政府将投资约500亿美元,在未来10年在美国建造19座晶圆厂,使美国本土芯片制造能力翻一番。

  目前,5纳米是世界上最先进的芯片制程,英特尔等美国公司尚未量产这一节点,而台积电的到来有望改变这种情况。不过,从现场画面来看,在宣布建厂1年多后,台积电亚利桑那工厂仍处于初期施工阶段。

  但日经新闻日前曾尖锐指出,目前距台积电宣布在美建厂已过去1年半以上,美国众议院的相关法案连补贴内容都没有纳入,审议也没有进展,给台积电的补贴完全无法落实。对于向海外企业提供巨额补贴,美国国内也存在反对声音。

  据华尔街见闻消息,闪存主控芯片厂商深圳市德明利技术股份有限公司日前递交深交所IPO申请,东莞证券为主承销商。

  招股书显示,德明利主要从事集成电路设计、研发及产业化应用,业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发,存储模组产品应用方案的开发、优化,以及存储模组产品的销售。产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组。公司还在人机交互触控领域完成初步业务布局,目前已完成自研触摸控制芯片投片。

  (以上消息源自:财联社、科创板日报、华尔街见闻、证券时报、环球时报等)返回搜狐,查看更多

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